
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
27.10€
Ex Tax: 24.86€
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
- Author Р.Х. Акчурин., А.А. Мармалюк
- Binding Type Мягкая обложка
- Series Мир материалов и технологий
- Publisher Техносфера
- Pages 488
- Year of first edition 2018
- ISBN 978-5-94836-521-3